KRISHNA SHENAI, Foreign Member of AESS from 2002, was born in Katapady (S.K.), India on June 1, 1956. He received the B.Tech (electronics) degree from the Indian Institute of Technology, Madras, India, in 1979, the M.S. degree in electrical engineering from the University of Maryland, College Park, MD, in 1981, and the Ph.D. degree in electrical engineering from Stanford University, Stanford, CA, in 1986.He is a professor of electrical and computer engineering and the founding director of the Power Electronics Research Center (PERC) at the University of Illinois at Chicago (UIC), Chicago, IL. His current research interests are in power semiconductor devices and ICs, power converters, and low-power mixed-signal and RF microsystem technologies for wireless applications.

Dr. Shenai has held senior positions at the COMSAT Laboratories (1980-1983), General Electric Corporate R&D Center (1986-1990), and Intel Corporation (1990-1993). He was among the first to develop GaAs MMICs for broadband satellite communication and several generations of low-power high-speed CMOS and BiCMOS logic processors. In the past twenty years, Dr. Shenai has made pioneering contributions to power semiconductor and circuit technologies. At the GE Corporate R&D, he and his colleagues developed ultra low-resistance power MOSFETs with power switching performance approaching the silicon material limit. He pioneered scaled trench-gate and refractory metal/salicide technologies used worldwide for the manufacture of a wide range of efficient power switches and ICs.

Dr. Shenai and his colleagues demonstrated the first ultra high-efficient (95%, 100W/cm3) synchronous rectifiers widely employed in low-voltage power supplies. Dr. Shenai reported the first detailed analysis and figures of merit for wide energy bandgap semiconductors for high-power switching applications (widely known as “Shenai's Figure of Merit”). In the past ten years, Dr. Shenai and his students have pioneered the physics and technology of soft-switching power semiconductor devices and robust power converters, and a class of ultra low-power wireless products with embedded adaptive on-chip power conditioning and information processing technologies.

Dr. Shenai has published over 300 refereed papers including an invited IEEE Spectrum article, holds ten issued patents, edited three books, written eight book chapters, and has produced over two dozen graduate theses. He was an editor of IEEE Trans. Electron Devices (1990-2001) and the founding editor-in-chief of the new IEEE Electron Devices Society Newsletter (1994-2001). Since 1994, he is a Distinguished Lecturer and elected AdCom member of IEEE Electron Devices Society, and serves as a member of several IEEE Technical Committees.

Dr. Shenai is the recipient of numerous awards. He and his student received the Best Student Paper award at the 1994 IEEE BCTM. In 1998, Dr. Shenai was awarded the University Scholar award at the University of Illinois for outstanding teaching and research. He is a Fellow of IETE (India). He received the William Brown and FINDS awards from the Space Studies Institute, Princeton University, for outstanding contributions to space electronics; UIC College of Engineering Research Excellence award; the Distinguished University Professor award from University of Nis, Nis, Yugoslavia; and, IEEE Yugoslavia Chapter award. In 2000, Dr. Shenai was elected as an IEEE Fellow for “contributions to the understanding, development and application of power semiconductor devices and circuits”.

In 1995, Dr. Shenai founded LoPel Corporation in Naperville, IL and currently serves as its Vice President. LoPel provides consulting services to worldwide Fortune-2000 clients on semiconductor technologies, markets and strategies. In 2001, Dr. Shenai founded Shakti Systems, Inc., a venture funded fabless semiconductor startup company in Lisle, IL. Shakti is developing revolutionary proprietary power management solutions for battery operated OEM platforms and components.Dr. Shenai also serves as the Chairman and Chief Executive Officer of Shakti Systems, Inc.

КРИШНА ШЕНАИ, инострани члан АИНС од 2002. године, рођен је 01. 06. 1956. год. у Катападију (Индија). Студирао је на Индијском институту за технологију у Мадрасу где је 1979. године одбранио дипломски рад из области електронике. Постдипломске студије завршио је 1981. год. на University of Maryland, College Park, (Мериленд, САД), а звање доктора наука из области електротехнике стекао је 1986. год. на престижном Stanford University, Stanford (Калифорнија, САД).Кришна Шенаи је професор електротехнике и рачунарске технике и оснивач и директор Истраживачког центра за енергетску електронику (PERC) на University of Illinois, Chicago (UIC), (Илиној, САД). Тренутно се бави научним истраживањима из области енергетских полупроводничких компонената и интегрисаних кола, конвертора снаге, као и технологије микросистема за RF и мешовите сигнале за бежичне комуникације.

К. Шенаи је у току своје професионалне каријере заузимао позиције водећег истраживача и руководиоца у лабораторијама и истраживачким центрима великих и познатих компанија као што су COMSAT Laboratories (1980-1983), General Electric Corporate R&D Center (1986-1990), и Intel Corporation (1990-1993) . Међу првима је развио MMIC кола на галијум-арсениду за примену у сателитским комуникацијама широког опсега, као и неколико генерација веома брзих CMOS и BiSMOS логичких процесора мале снаге. Поред тога, у протеклих двадесет година дао је огроман пионирски допринос у развоју технологије енергетских полупроводничких компонената и интегрисаних кола. Његова група у истраживачко-развојном центру компаније General Electric развила је MOSFET транзисторе снаге, компоненте изузетно мале отпорности и супериорних прекидачких карактеристика које готово досежу ограничења силицијума као материјала. Направио је почетне кораке у развоју тзв. „trench-gate” технологије која се у целом свету примењује у изради ефикасних прекидача снаге и интегрисаних кола. Са групом сарадника развио је прве синхроне исправљачке елементе изузетно високе ефикасности (95%, 100 W/цм3) који данас имају широку примену у изради нисконапонских извора напајања. К. Шенаи је први дао детаљну анализу и дефинисао критеријум (познат као „Шенаијев критеријум”) за примену полупроводника са широком забрањеном зоном у изради прекидачких компонената велике снаге.

У последњих десет година, др Шенаи је са својим студентима направио пионирске кораке у изучавању физике и развоју технологије тзв. „soft-switching” компонената (полупроводничких енергетских компонената са меким укључењем) и робусних конвертора снаге, као и читаве класе компонената и кола изузетно мале снаге са рационализованом потрошњом енергије и могућношћу процесирања информација на самом чипу за примену у бежичним комуникацијама.

К. Шенаи је до сада објавио преко 300 научних радова, укључујући и рад по позиву за веома реномирани часопис IЕЕЕ Spectrum, аутор је десет патената, уредник три стручне књиге, аутор осам поглавља у књигама, а руководио је израдом преко двадесет магистарских теза и докторских дисертација. Био је уредник реномираног часописа IEEE Trans. Electron Devices (1990-2001.), као и оснивач и главни уредник часописа IEEE Electron Devices Society Newsletter (1994-2001.).

Захваљујући својим значајним научним резултатима, 1994. год. изабран је за изузетног предавача и члана Административног одбора IЕЕЕ EDS, а такође је члан и неколико техничких одбора IЕЕЕ.

К. Шенаи је добитник бројних награда. Са својим студентом је 1994. године на IЕЕЕ BCTM добио награду за најбољи студентски рад. Универзитет Илиној доделио му је 1998. године награду за изузетне успехе постигнуте у наставној и истраживачкој делатности. Члан је IETE, Индија. Такође, добио је награде „William Brown” и „FINDS” од Института за свемирска истраживања универзитета Принстон за изузетне доприносе развоју космичке електронике, награду „UIC College of Engineering Research Excellence” од Техничког факултета универзитета Илиној, повељу Електронског факултета у Нишу за допринос развоју Катедре за микроелектронику, као и повељу IEEE Yugoslavia Chapter Подружнице.

Коначно, др Шенаи је 2000. године „због доприноса разумевању, развоју и примени полупроводничких компонената снаге и интегрисаних кола” унапређен у IEEE Fellow , што представља највиши ранг чланства у овом најзначајнијем међународном удружењу инжењера електротехнике и електронике.

Поред свега наведеног, К. Шенаи је 1995. год. основао LoPel Corporation у Нејпервилу (Илиној, САД) и тренутно је њен потпредседник. Ова корпорација за клијенте из целог света врши услуге консалтинга у области полупроводничких технологија, тржишта и стратегије. Такође, К. Шенаи је 2001. год. у Lisle (Илиној, САД) основао и полупроводничку компанију под називом Shakti Systems, Inc., чији је председник и извршни директор. Ова компанија нема нити фабричке капацитете нити унапред обезбеђене изворе финансирања, а за сада се успешно бави развојем и проналажењем револуционарних решења за што рационалније коришћење енергије у батеријском напајању ОЕМ платформи и компонената.